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三星發表第四代Green Memory記憶體存儲解決方案
作者:admin  來源:本站  發表時間:2012/11/8 16:02:03


半導體制造大廠 Samsung Electronic,在自家舉辦的 Memory Solution CIO Forum 活動宣布了第四代記憶體存儲方案,包含最新的 20nm 制程 DRAM,與高性能 SATA 6Gb/s 企業/伺服器級 SSD 和 SAS SSD。
 
透過全新制程的記憶體產品,大幅提高能源使用效率與性能表現。

半導體制造大廠 Samsung Electronic,在自家舉辦的 Memory Solution CIO Forum 活動宣布了第四代記憶體存儲方案,包含最新的 20nm 制程 DRAM,與高性能 SATA 6Gb/s 企業/伺服器級 SSD 和 SAS SSD。 

新一代的記憶體儲存方案,透過導入三星先進的 20nm 制程 DDR3 DRAM,與全新的 SSD 方案。伺服器用 SM483 SATA 6.0 Gb/s SSD,與企業儲存用的 SM1625 SAS SSD,兩者采用了 20nm MLC NAND FLASH。透過最新的解決方案,將有助于 IT 在環保議題上的發展,相較于過去 40nm 級的 DRAM 與 SSD,最新的方案能夠省下 20% 的伺服器耗電,與儲存系統 60% 的耗電量,同時更能提升高達六倍的性能表現。 

此外,據估計若現行的系統,包含伺服器、儲存系統與筆記型電腦,若有 10% 導入 20nm SSD、20% 導入 20nm DRAM,將能省下每小時 3.5 teraWatt 的電力,降低排放達 241 萬噸的溫室氣體,相當于種植 6000 萬棵 10 歲的成年樹木。若將最新的 20 nm 4Gb DDR3 記憶體顆粒與最新的 SSD 方案導入筆記型電腦中,將能夠比舊有的方案延長 1 小時的續航力。

Samsung Electronic 將會透過開發更新的制程、更高速的記憶體傳輸介面,持續發展更新的記憶體存儲方案,同時與企業、IT 專家持續合作共同研究更環保的技術與趨勢。
 

 

 

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